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圆形压电陶瓷

压电陶瓷特性:叠堆压电陶瓷具有体积小、位移分辨率高、响应速度快、低电压驱动、输出力大等特点。本产品适用开环及闭环(加装位移传感器)系统中,预连导线,易于集成,是OEM应用的理想选择。
性能参数
分辨率:nm级别
使用温度:-25℃~+80℃
驱动电压:0~+150V
产品特性:提供开/闭环版本

应用领域:微型机械制造 / 航空航天领域 / 超精密加工 / 扫描探针显微镜 /集成电路制造 / 光纤对接 / 生物工程 / 医疗科学 / 光学
圆形压电陶瓷参数

产品性能参数

**驱动电压范围(DC)

-30~150V

位移迟滞

15%

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标准驱动电压(DC)

0~150V

位移损耗

2.2%

输出位移(150V)

3.5μm±15%

居里温度

230℃

**耐压值

200V

使用温度

25~130℃

**负压值

30V

谐振频率

95.05KHz

**使用频率

150HZ/150V

漏电流(5min)

97nA

产品尺寸

外径:17.50±0.2高:2.60±0.01

静态电容量

3.37µF±15%


**驱动电压范围:压电陶瓷需在给定电压内使用,超出负压使用范围压电陶瓷会反向极化,影响位移输出,超出正压使用范围会造成压电陶瓷损坏;

位移迟滞:在同一个电压值下,上升曲线和下降曲线上的位移值有明显的位移差,且这个位移差会随着电压变化范围的改变而改变,驱动电压越小则位移

   差也会相应越小,压电陶瓷的迟滞一般在给定电压对应位移值的10%~15% 左右。

输出位移:电压输出150V时压电陶瓷所产生的**位移值;

居里温度:陶瓷材料极化完成后所能承受最高温度,超出给定温度后,压电陶瓷会失去压电特性;

输出力:**出力相当于压电陶瓷的**负载变化,可以被闭环反馈位置控制。例如(压电陶瓷当被设置在90 V的位置时,此时闭环控制位置保持恒定。可

   在产生的出力——压电陶瓷能被压缩补偿对应“60V”的力。

不同负载下测试数据会有波动。

以上数据均在室温22℃下测量所得。


产品尺寸

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注意事项

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